【新科技观察】国产光刻机突破在哪/高效太阳能盐湖提锂成果进展等

　　财新智库的《新科技观察》每周报告又和您见面了，本期我们的精彩关注包括：国产光刻机突破在哪、高效太阳能盐湖提锂成果进展、中国将在月球上建无线网等等。想阅读最新一期报告全文、获取邮件推送服务，请点这里。

　　以下是报告精华摘要：

一、资讯速递

　　【政策】

　　♢ 证监会公布“并购六条”：明确支持跨行业并购、允许收购未盈利资产

　　♢ 中国5G基站突破400万个

　　♢ 上海支持汽车以旧换新，补贴个人消费者1.2万元至2万元

　　♢ 爱尔兰数据保护监管机构对Meta处以罚款1亿美元

　　♢ 韩国个人信息保护委员会对非法收集用户虹膜信息的奥特曼项目罚11亿韩元

　　【前沿】

　　♢ 中国学者开发出高效利用太阳能盐湖提锂装置

　　♢ 中国将在月球上建无线网

　　♢ 报告：2023年中国新安装工业机器人数量超全球半数

　　【市场】

　　♢ 全球装机规模最大的熔盐线性菲涅尔光热储能项目——玉门“光热+”示范项目顺利并网发电

　　♢ 机构：预计2024年全球机器人出货规模约4700万台

　　♢ 苹果据悉不再参与OpenAI融资轮谈判

　　♢ 台积电回应：目前没有新的海外投资具体计划

　　♢ 风投公司阿波罗计划向英特尔投资50亿美元

　　♢ 富士康全新电动车型Model D宣布10月8日亮相

　　♢ 七牛智能三度递表港交所

　　♢ 荷兰纳米压印技术公司Morphotonics完成超千万美元B轮融资

　　♢ 雷鸟创新宣布完成多轮融资，2024年总融资金额超过5亿元

　　♢ 易航智能完成数亿元C轮融资

二、深度分析

《国产光刻机，有突破，但不多》

　　作为生产芯片的不可或缺的最重要设备，光刻机被誉为“工业皇冠上的明珠”，光刻机技术的每一次飞跃，是推动全球科技进步的最大功臣之一。然而由于中国遭遇进口限制，高端光刻机成为“卡脖子”的难以承受之痛。也正因为如此，中国光刻机的每一次进步，也都能引发狂热的欢呼。

　　近日，工信部公布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中，两款国产光刻机的崭露头角，瞬间点燃了“中国芯片崛起”的热烈讨论，社交媒体上“赶超西方”的呼声此起彼伏。

　　这份文件中，包含两种光刻机，氟化氪光刻机和氟化氩光刻机，具体参数显示，光源248纳米，分辨率≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氩光刻机光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm。

　　套刻精度≤8nm这个指标，引起了注意，小于等于8纳米，是不是就意味着可以制作小于8纳米的芯片了？那距离高端芯片需要的7纳米，那不几乎已经达到了？

　　此消息一出，同飞股份、波长光电、海立股份、凯美特气、张江高科、京华激光等6家公司涨停，其中同飞股份、波长光电均收获“20厘米涨停”。此外，新莱应材、蓝英装备，涨幅也都超过了10%。

　　实际上，套刻精度的8纳米和先进制程的7纳米，是两回事。套刻精度，不是可以制作的纳米数，而是每一层光刻层图案之间的对齐精度。

　　由于半导体制造是数十上百层薄膜堆叠的过程，需要多次光刻实现不同层的图案化，因此每一层的光刻都需要与其前一层进行精准的对齐，以保证上下层薄膜图案的相对位置与设计位置相吻合，制程越先进，对套刻精度的要求越高。随着特征尺寸越来越小，所允许的套刻误差也将随之缩小，以保证良好的相对对齐精度。

　　这就像盖大楼。套刻错位误差不超过8纳米，就是说两层楼之间窗户开洞的位置误差不超过8纳米；而我们平时说的7纳米制程，按照盖大楼的比喻，其实关心的不是两层之间的对齐，而是每层楼里墙壁的最小宽度，这个宽度越小，每层的房间就可以设计得越多。

　　因此≤8nm的套刻精度，并不意味着能直接制造8nm工艺的芯片。专家指出，公众对于光刻机技术的理解往往存在误区，尤其是将套刻精度直接等同于芯片制程，这是一种常见的认知偏差。实际上，套刻精度是光刻机在硅晶圆上精准绘制多层电路图案的能力，而芯片制程则是指芯片内部电路的最小线宽，两者虽有联系，但并非同一概念。

　　对比ASML光刻机的参数，ASML在2006年推出的干式DUV光刻机XT：1450的分辨率为≤57nm，套刻精度为≤7nm。ASML于2015年二季度出货的TWINSCAN XT：1460K的光刻分辨率为≤65nm，但是套刻精度更高，为≤5nm。

　　这就说明，中国这次官宣的属于DUV光刻机，而8nm套刻精度相当于ASML公司18年前的水平……（全文3346字）

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